柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

夏冬林; 李建庄; 赵修建

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柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

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采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.

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来源
《材料导报》 |2005年第4期|115-117|共3页
作者
夏冬林; 李建庄; 赵修建;
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作者单位

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;

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正文语种 chi
中图分类过磷酸钙;
关键词
电沉积 CuInSe2薄膜络合剂;

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