工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

黄佳木; 吕佳; 张新元; 覃丽禄

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工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

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采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.

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来源
《材料导报》 |2005年第6期|123-125|共3页
作者
黄佳木; 吕佳; 张新元; 覃丽禄;
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作者单位

重庆大学材料与工程学院,重庆,400045;

重庆大学材料与工程学院,重庆,400045;

重庆大学材料与工程学院,重庆,400045;

重庆大学材料与工程学院,重庆,400045;

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正文语种 chi
中图分类功能材料;薄膜物理学;
关键词
TaOx 非晶态薄膜离子导体磁控溅射;

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