CVD SiC先驱体的研究进展

机译：从硅和锗上的单源先驱体获得的硅酸ha薄膜的MOCVD，用于栅极介电应用

机译：使用脉冲等离子体和热线CVD沉积技术的高沉积速率非晶和多晶硅材料的研究进展

机译：热压ZRB 2 -20SIC复合材料的微观结构和机械性能

机译：用Mirowava用新型等离子体CVD设备使用新型等离子体CVD装置，用新型等离子体CVD装置进行DLC涂覆内表面的摩擦学性质

机译：在先进材料先驱体生产中形成硅碳键的途径的应用：第一部分：作为碳化硅单源CVD前驱体的环状和线性碳硅烷的研究。第二部分：新型氟和氰基取代的聚（亚甲撑亚甲基）的合成与表征。

机译：化学气相沉积（CVD）法合成碳纳米材料的研究进展

机译：低温等离子体CVD通过微波表面波等离子体CVD使用樟脑前驱体种植石墨烯

机译：用于涂覆UO2粉末的WCl6 CVD系统的研究进展。

机译：等离子体CVD装置的基板及其制造方法，等离子体CVD装置和等离子体CVD装置的维护方法以及制造半导体装置的方法

机译：等离子体CVD设备，控制等离子体CVD设备的程序以及清洁等离子体CVD设备的方法

机译：用于等离子体产生的动力单元，由动力单元组成的等离子体CVD系统和等离子体CVD方法