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孙捷; 孙迎春;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083;
山东大学外国语学院,济南,250100;
化学液相淀积; 氧化物; 集成电路;
机译:使用集成电路兼容工艺的单壁碳纳米管薄膜的生长及其作为n型场效应晶体管器件的图案化
机译:通过工艺光谱检查从集成电路血管放电中从集成电路基板去除的光致抗蚀剂涂层的诊断
机译:基于CSP技术的薄膜RC网络集成电路制造工艺研究
机译:大气压等离子体CVD工艺的设计,该工艺使用介电势垒放电沉积氮化硅薄膜。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:CdTe / CdS薄膜太阳能电池制造工艺的最新进展
机译:用于辐射硬化集成电路的高电阻率薄膜电阻器的制造方法和工艺。
机译:制造薄膜集成电路装置的方法,非接触薄膜集成电路装置及其制造方法,idtag和coin,包括非接触薄膜集成电路装置
机译:薄膜集成电路装置,IC标签,包括该薄膜集成电路的容器,该薄膜集成电路装置的制造方法,容器的制造方法以及具有该容器的产品的管理方法
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