GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用

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• 来源
  《材料导报》 |2002年第1期|31-35|共5页
• 作者

  王三胜; 顾彪; 徐茵; 秦福文; 窦宝锋; 杨大智;

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• 作者单位

  大连理工大学电气工程与应用电子技术系;

  大连理工大学电气工程与应用电子技术系;

  三束材料改性国家重点实验室;

  大连理工大学电气工程与应用电子技术系;

  三束材料改性国家重点实验室;

  大连理工大学电气工程与应用电子技术系;

  三束材料改性国家重点实验室;

  大连理工大学电气工程与应用电子技术系;

  三束材料改性国家重点实验室;

  材料科学与工程系大连,116024;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  GaN 外延生长 掺杂 半导体器件;