SiC单晶生长研究进展

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• 来源
  《材料导报》 |2002年第6期|32-34,38|共4页
• 作者

  陈之战; 施尔畏; 肖兵; 庄击勇;

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• 作者单位

  中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

  中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

  中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

  中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体技术;
• 关键词

  SiC 单晶生 长PVT法;