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王弘;
山东大学晶体材料国家重点实验室;
济南250100;
铁电薄膜; 金属有机化学气相沉积; 制备; MOCVD; 铁电存储器;
机译:用于存储器应用的外延生长铁电薄膜(铁电随机存取存储器)
机译:溶胶-凝胶法制备BaTiO_3薄膜的金属铁电半导体非易失性存储器的制备与表征
机译:超声雾化MOCVD法制备Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3薄膜的铁电和压电性能
机译:C轴和非C轴的铁电性能表征,其外延生长层结构的铁电薄膜用MOCVD制备的不同M号
机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
机译:夹有超薄铁电薄膜的出色低压操作柔性铁电有机晶体管非易失性存储器
机译:关于技术的特殊文章及其对无机材料合成的表征。 MOCVD制备铁电BI4TI3O12薄膜的制备和电性能。
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:制备铁电薄膜薄膜铁电电容器铁电存储器的方法及制造铁电存储器的方法
机译:制备铁电薄膜,铁电电容器,铁电存储器的方法和制造铁电存储器的方法
机译:铁电薄膜,铁电薄膜的制造方法,铁电电容器,铁电电容器的制造方法以及铁电存储器
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