B位掺杂对（Pb,Ca）（Fe1／2Nb1／2）O3陶瓷微波介电性能的影响

卞建江; 钟永贵

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研究了Ｂ位分别掺杂Ｓｎ＾４＋、Ｚｒ＾４＋、Ｃｅ＾４＋对（Ｐｂ０．４５Ｃａ０．２５）（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＣＦＮ）陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明，掺杂样品能在相对较低的温度下烧结（１２００℃／２ｈ），Ｂ位大半径离子的掺入使介电常数降低，适量的Ｂ位掺杂能不同程度的改进ＰＣＦＮ陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为９２８．４ＭＨｚ下，插入损耗为２．４６９ｄＢ，满足插入损耗应小于３ｄＢ的要求，在移动通信中有着实际应用前景。

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来源
《材料导报》 |2000年第Z10期|155-157|共3页
作者
卞建江; 钟永贵;
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作者单位

上海大学电子信息材料系,上海;

上海大学电子信息材料系,上海;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TQ174.756;
关键词
介电损耗; PCFN陶瓷; B位掺杂; 微波介电性能;

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