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GaN材料中离子注入的研究进展

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摘要

综述了ＧａＮ材料中离子注入的研究进展，重点介绍了离子注入技术在ＧａＮ材料中的发光（ＰＬ，ＥＬ，ＣＬ）研究，注入隔离ｐ－ｇａｊｆ／ｎ－型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。

著录项

来源
《材料导报》 |1999年第2期|27-29|共3页
作者
罗海林; 王琼;
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作者单位

武汉大学理学院加速器实验室;

武汉大学理学院加速器实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
离子注入; 发光; 掺杂; 深能级缺陷; 氮化镓;

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