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SiO2/B2O3质量比对低介电封接玻璃性能的影响

         
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采用高温熔融法以SiO2-B2O3-Al2O3-R2O为体系制备了一系列低介电常数(3.92≤εr≤4.11)、低介电损耗(5×10^-4≤tanδ≤12×10^-4)的封接玻璃。运用红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、膨胀系数测定仪、弯曲梁高温粘度计、精密阻抗分析仪对样品进行了表征,同时,探讨了SiO2与B2O3的质量比对各样品性能的影响。结果表明,样品的热膨胀系数、介电损耗随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先降低后升高的趋势;而特征温度则相反,其随着SiO2与B2O3质量比的增大呈现先升高后降低的趋势;样品的介电常数随SiO2与B2O3质量比的增大而增大。

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