以g-C3 N4为原料快速合成Ti2Al(C,N)陶瓷及其层状生长机制研究

李啸轩; 张强; 朱春城

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cqvip:以Ti、Al和g-C3N4粉体为原料,采用快速、能耗低的自蔓延高温合成法制备出Ti2Al(C,N)。当Ti、Al和g-C3N4的物质的量比为2∶1.05∶1时,Ti2Al(C,N)的含量最高。在反应过程中,Al的熔化促进了Ti(s)和g-C3N4(s)反应生成Ti(C,N)(s),在降温阶段Ti(s)和Al(l)形成TiAl(s),之后Ti(C,N)(s)和TiAl(s)反应生成片层状的Ti 2Al(C,N)(s)。Ti2Al(C,N)晶粒的层状生长研究表明,Ti2Al(C,N)为二维生长机制,以阶梯状生长模式生长;Ti2Al(C,N)大晶粒的片层存在向内的扩展方式;杂质小颗粒的存在对Ti2Al(C,N)片层的横向扩展产生阻碍作用。

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来源
《材料导报》 |2020年第4期|32-36|共5页
作者
李啸轩; 张强; 朱春城;
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作者单位

哈尔滨师范大学化学化工学院哈尔滨 150025;

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正文语种 chi
中图分类金属陶瓷材料;
关键词
Ti2Al(C; N); 自蔓延高温合成; 层状生长机制;

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