碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

邓亚; 张宇民; 周玉锋; 王伟

首页> 中文期刊> 《材料导报》 >碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。

著录项

来源
《材料导报》 |2019年第s02期|206-209|共4页
作者
邓亚; 张宇民; 周玉锋; 王伟;
展开▼
作者单位

哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体中的应力;
关键词
碳化硅单晶材料; 残余应力; 光弹性法; X射线衍射法; 微拉曼光谱法;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征 [J] . 宁吉强 ,杨碚芳 ,傅正平 . 化学物理学报 . 2004,第005期
2. 涂层残余应力实用检测技术的研究进展 [J] . 王丹 ,徐滨士 ,董世运 . 金属热处理 . 2006,第5期
3. 基于快速面探测方法的碳化硅表面残余应力测量 [J] . 闫帅 ,林彬 ,陈经跃 . 金刚石与磨料磨具工程 . 2018,第006期
4. 碳化硅增强钛合金基复合材料热残余应力的有限元分析 [J] . 时光辉 ,杨庆生 ,张蕾 . 计算机辅助工程 . 2012,第004期
5. 碳化硅空间用反射镜坯体残余应力的研究 [J] . 张剑寒 ,张宇民 ,韩杰才 . 佳木斯大学学报（自然科学版） . 2006,第002期
6. 碳化硅晶体缺陷研究及大尺寸碳化硅晶体研究进展 [C] . 刘学超 ,忻隽 ,严成锋 . 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 . 2015
7. 基于振动信号的构件内部残余应力检测技术研究 [A] . 柴兴亮 . 2020

碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅