锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应

于涵; 何雄; 张孔斌; 何斌; 罗丰; 孙志刚

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锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应

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本工作对Ag/p-Ge:Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应.对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大.进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应.本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性.当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123％@1 T,远大于平行方向的体磁阻数值(仅约为41％@1 T).机理分析认为,体磁阻效应的各向异性源于不同磁场构型下几何效应的差异,而低温下载流子迁移率的增加导致这种几何效应的影响更为明显.

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来源
《材料导报》 |2021年第2期|69-7385|共6页
作者
于涵; 何雄; 张孔斌; 何斌; 罗丰; 孙志刚;
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作者单位

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉430070;

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正文语种 chi
中图分类 TM23;
关键词
Ge基半导体; 界面磁阻效应; 体磁阻效应; 各向异性磁阻;

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