沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

邓清; 肖鹏; 熊翔

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沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

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利用MTS-H2-Ar体系, 用化学气相沉积法(CVD)在SiC基体材料表面沉积SiC涂层. 用X射线衍射仪和扫描电镜分析涂层的晶体结构和表面形貌. 研究温度对涂层的物相组成、微观结构和沉积速率的影响. 结果表明: 在1 100～1 400 ℃范围内, 沉积产物均为单一的β-SiC结晶相;随温度升高, SiC晶粒尺寸增大, 1 400 ℃时择优生长由(110)晶面转变为(220)晶面;涂层形貌对温度十分敏感, 在1 200 ℃温度下沉积的涂层最为致密, 且具有最大沉积速率, 是制备SiC涂层的最佳温度.

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来源
《粉末冶金材料科学与工程》 |2006年第5期|304-309|共6页
作者
邓清; 肖鹏; 熊翔;
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作者单位

中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;

中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;

中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;

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正文语种 chi
中图分类非金属复合材料;
关键词
化学气相沉积; SiC; 沉积温度; 微观结构;

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