氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析

李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 刘志凯

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氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析

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对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.

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来源
《材料科学与工艺》 |2007年第5期|685-688|共4页
作者
李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 刘志凯;
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作者单位

中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京,100083;

北京师范大学,分析测试中心,北京,100875;

北京市第四十七中学,北京,100090;

中国科学院,半导体材料科学实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;固体激光器;激光的应用;
关键词
ZnO/Si异质结构; 氧离子束辅助(O+-assisted)PLD; X射线光电子能谱(XPS); 深度剖析;

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