用PBII方法在硼膜中注入氮形成BN的结构

田晶泽; 夏立芳; 马欣新; 孙跃; 孙明仁

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用PBII方法在硼膜中注入氮形成BN的结构

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用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入(PBⅡ)技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼(BN).用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红外(FTIR)透射谱分析膜的结构.氮在膜中呈类似高斯分布,随着注入电压增大, 膜的N/B比增大且影响氮在膜中的分布,在较高的注入电压时,膜基间产生界面混合.对XPS B1s谱进行Gauss-Lorentz拟合表明:硼在膜中以BN及游离态两种形式存在.FTIR分析结果表明:当注入电压较低,时间较短时,膜中存在非晶态形式的氮化硼(a-BN);增大注入电压及注入时间,向六方形式的氮化硼(h-BN)转化;原始硼膜的厚度小有助于h-BN的形成.

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来源
《材料科学与工艺》 |2000年第2期|16-20|共5页
作者
田晶泽; 夏立芳; 马欣新; 孙跃; 孙明仁;
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作者单位

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;

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正文语种 chi
中图分类真空镀与气相镀法;薄膜的生长、结构和外延;
关键词
等离子体基离子注入; 氮化硼; 傅里叶变换红外谱;

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