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刘骁; 张然; 张春鹏; 褚金奎;
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室 辽宁大连 116024;
COMSOL; 栅控; 纳米通道; 电渗流;
机译:具有In1?xGaxAs通道盖层的14nm栅极III-V三栅极三极场效应晶体管器件的仿真研究
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机译:使用通道掺杂工程的超缩放双栅极石墨烯纳米隧道场效应晶体管的性能提高:量子仿真研究
机译:使用实验室手术调整行为的活动空调控制系统的室内环境和节能性能研究第1部分夏季SaaS BEMS和空调控制结果的概要
机译:栅极堆叠和通道工程:金属栅极和锗通道器件的研究。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:具有In1-xGaxas沟道覆盖层的14nm栅极III-V三栅极场效应晶体管器件的仿真研究
机译:CED-9 / Bcl-2家族细胞死亡调控适配体的选择及其在乳腺癌细胞凋亡调控和药物设计研究中的应用
机译:由矩形栅极电极布局特征(沿着至少四个栅极电极轨道定义)形成的具有小于193纳米尺寸的栅极导电结构的半导体器件单元
机译:具有矩形栅极电极布局特征形成的小于193纳米尺寸的栅极导电结构的半导体器件部分,并且具有相等数量的PMOS和NMOS晶体管
机译:由矩形栅极电极布局特征和相等数量的PMOS和NMOS晶体管形成的具有小于193纳米尺寸的栅极导电结构的半导体器件单元
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