UHF频段无源RFID标签前端倍压电路设计

孙玲; 景为平

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基于0.5μm双阱标准CMOS工艺,完成了一种适用于UHF频段无源RFID标签的倍压电路设计。该电路利用置于P阱中的NMOS管连接成二极管形式取代传统倍压电路中的肖特基二极管,避免了工艺上的特殊要求,与同工艺上PMOS管连接的二极管相比,有更低的开启电压。电路仿真结果表明,使用二极管连接的NMOS管能够满足倍压电路的设计要求。

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来源
《科技与创新》 |2009年第14期|194-196|共3页
作者
孙玲; 景为平;
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作者单位

南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类专用集成电路;
关键词
射频识别; 倍压电路; 无源标签; CMOS集成电路;

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