基于混合SET/MOSFET的比较器

冯朝文; 蔡理

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基于混合SET/MOSFET的比较器

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基于双输入单电子晶体管与MOSFET的混合结构I-V特性和数字电路的逻辑设计思想,提出了一种由5个双栅极SET和6个MOSFET构成的一位比较器电路结构。该比较器有以下优点:利用双栅极SET和MOSFET构成逻辑块使电路结构大为简化;减少了管子的数目;电压兼容性好,驱动性能高;输入和输出高低电平都接近于1V和0V;静态总功耗低,为nW级。仿真结果验证了它的正确性。

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来源
《科技与创新》 |2008年第20期|290-292|共3页
作者
冯朝文; 蔡理;
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作者单位

空军工程大学理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
单电子晶体管; 双栅极SET; 比较器; MIB模型;

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