红外光电晶体管非光照基区结构参数研究

李志福; 李媛

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红外光电晶体管非光照基区结构参数研究

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针对通常研究中普遍将研究重点集中在如何提高光电探测器受光区域的光电转换性能上而忽略了非光照区域的现状,从光电晶体管的非光照结构入手展开研究,运用TCAD半导体器件仿真软件对非光照基区的表面浓度和结深等进行仿真.从输出暗电流、输出光电流和响应速度三方面得出非光照基区不同表面浓度和宽度对光电晶体管直流特性及瞬态特性的具体影响.仿真过程中充分考虑晶格自加热效应,还原了光照强度较大时,由于器件输出光电流较大所致的器件集电结在一定反偏下出现的局部温度不均匀现象,大大提高仿真的精确度.

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来源
《微处理机》 |2018年第4期|29-34|共6页
作者
李志福; 李媛;
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作者单位

朝阳无线电元件有限责任公司;

朝阳122000;

渤海大学新能源学院;

锦州121000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电管;
关键词
光电晶体管; TCAD仿真; 暗电流; 光电流; 表面浓度; 响应速度; 结深;

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