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石广元; 胡延年;
辽宁大学电子科学与工程系;
RG--MOSFET; 电流特性; I-V特性; 场效应晶体管;
机译:一种无成立的HFO2- / ofon基电阻栅极金属氧化物 - 半导体场效应晶体管(RG-MOSFET)非易失性存储器,具有3比特间存储能力
机译:接线底栅极平板电压的亚阈值特性分析较少的双栅MOSFET
机译:渐变沟道双材料椭圆形全能栅极(GC DM EGAA)MOSFET的短沟道特性分析
机译:单栅极MOSFET上双栅极MOSFET的性能和特性分析
机译:RGS2和RGS5的双重损失降低了成年小鼠的心肌细胞收缩力并导致心律不齐
机译:使用OneDose MOSFET和移动MOSFET对急性淋巴细胞白血病患者的皮肤剂量进行测量和比较
机译:根据氧化物厚度使用非均匀掺杂分布的DGMOSFET对DGMOSFET的亚阈值特性分析
机译:Teledyne H1RG,H2RG和H4RG噪音发生器。
机译:RG2 RG4 RG6 RH1 RH4包含人参皂甙RG2 RG4 RG6 RH1和RH4的药物组合物,用于预防或治疗肌肉疾病
机译:包含人参皂苷RG4或人参皂苷RG2,RG4,RG6和RH1混合物(RGX 365)的药物组合物,用于预防脱发或刺激毛发生生长
机译:RG3 RG5 C.K制备特定人参皂苷的方法RG3 RG5 C.K处理
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