数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

杨海燕; 赵西安

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数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

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半导体断路开关(SOS)效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用.采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P+-P-N-N+结构的电流截断特性进行了数值模拟研究.研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数时SOS电流截断特性的影响.结果表明:P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值战小.该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值.

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来源
《现代电子技术》 |2010年第12期|179-181|共3页
作者
杨海燕; 赵西安;
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作者单位

西安陆军学院,信息化研究试验室,陕西,西安,710108;

西安陆军学院,信息化研究试验室,陕西,西安,710108;

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正文语种 chi
中图分类其他器件;
关键词
半导体断路开关; 脉冲功率源; 数值模拟; 电流截断特性;

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