存储阵列中的串扰分析及脉冲产生电路设计

龙娟; 杨银堂; 马城城

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存储阵列中的串扰分析及脉冲产生电路设计

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在SRAM存储阵列的设计中,经常会遇到相邻信号线与电路节点间耦合引起的串扰问题.针对这个问题给出位线"间隔译码"的组织结构,有效地降低了存储器读写时寄生RC所带来的串扰.同时,针对该"间隔译码"的存储阵列结构,设计了脉冲产生电路,该电路只需要利用行地址的变化来生成充电脉冲,不仅简化了电路的规模,而且减小了读写操作时存储阵列中单元之间的串扰,提高了可靠性.

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来源
《现代电子技术》 |2007年第12期|172-174|共3页
作者
龙娟; 杨银堂; 马城城;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子学院,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子电路;
关键词
耦合; 间隔译码; 串扰; SRAM;

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