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利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路

         

摘要

传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的.

著录项

  • 来源
    《现代电子技术》 |2007年第20期|29-32|共4页
  • 作者单位

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 数字集成电路、逻辑集成电路;
  • 关键词

    片上静电保护; CMOS; SCR; ISE-TCAD;

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