混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应

吴晓鹏; 杨银堂; 朱樟明

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混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应

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衬底噪声耦合是深亚微米混合信号集成电路中常见的噪声干扰效应,严重地影响了模拟电路的性能.系统地阐述混合信号SoC中的衬底噪声耦合效应及其研究现状,讨论利用基于格林方程的边界元法对衬底建模的方法,并且分别从工艺、版图、电路等不同层次衬底噪声耦合效应的抑制方法与技术,同时对将来衬底噪声研究的发展方向以及新思路进行分析与讨论.

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来源
《现代电子技术》 |2006年第8期|118-122|共5页
作者
吴晓鹏; 杨银堂; 朱樟明;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
混合信号; 衬底噪声; 建模方法; EEACC:2550X; 2570A;

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