IGBT串联电压失衡机理研究

赵景; 张赛

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在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作.因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法.通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致.

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来源
《现代电子技术》 |2020年第20期|126-130|共5页
作者
赵景; 张赛;
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作者单位

许昌市计算机应用工程技术研究中心河南许昌 461000;

许昌电气职业学院河南许昌 461000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类模式识别与装置;
关键词
IGBT串联使用; 串联电压失衡; 失衡因素分析; 电压平衡方法; 高压击穿; 理论分析;

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