锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

邓志杰（摘译）

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锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

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锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。

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来源
《现代材料动态》 |2007年第5期|5-7|共3页
作者
邓志杰（摘译）;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
生长技术; 光电应用; 晶体管; 无位错; 大直径; 半导体性质; 贝尔实验室; 晶片;

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