半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

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由半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20．0％的太阳电池（短路电流密度Jsc=43．9mA／cm2，开路电压Voc=602mV，填充因子FF=0．758），并经中国计量科学研究院认证。

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来源
《人工晶体学报》 |2013年第2期|277-277|共1页
作者

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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
单晶硅太阳电池; 半导体; 中国计量科学研究院; 钝化技术; 选择性发射极; 短路电流密度; 企业需求; 开路电压;

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