硅纳米晶/SiO2多层薄膜的制备

蔡雅楠; 梁大宇; 崔灿; 唐为华

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硅纳米晶/SiO2多层薄膜的制备

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采用射频磁控溅射结合后续热处理方法制备了镶嵌在SiO2基质中的Si纳米晶（nanocrystalline silicon,nc-Si）薄膜,实验结果表明,在单层nc-Si薄膜中,随着硅含量的增加,Si纳米晶的尺寸、分布密度也增加;在多层nc-Si/SiO2薄膜中,SiO2层会起到限制nc-Si层中Si纳米晶生长的作用,使多层结构中Si纳米晶的尺寸分布更加集中。

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来源
《纳米科技》 |2012年第1期|P.34-37,80|共5页
作者
蔡雅楠; 梁大宇; 崔灿; 唐为华;
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作者单位

浙江理工大学光电材料与器件中心,浙江杭州310018;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
硅纳米晶; 射频磁控溅射; 薄膜;

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