亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究

贺永宁; 李宗林; 朱长纯

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亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究

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介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%.

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来源
《纳米科技》 |2006年第3期|3-6|共4页
作者
贺永宁; 李宗林; 朱长纯;
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作者单位

西安交通大学电信学院,陕西,西安,710049;

西安交通大学电信学院,陕西,西安,710049;

西安交通大学电信学院,陕西,西安,710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
亚100nm CMOS; 沟道反型层量子化; 栅氧厚度; 阈值电压;

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