ZrB2-SiC挥发相图的热力学计算研究

李辉; 刘哲; 罗至利; 孙国栋; 俞鹏飞

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ZrB2-SiC挥发相图的热力学计算研究

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采用热力学平衡方法,以1227℃为例,计算了硼化锆(ZrB2)和碳化硅(SiC)的挥发相图,并由此例构建了硼化锆-碳化硅复合材料(ZrB2-SiC)的挥发相图.在1.01×105Pa条件下,计算得到ZrB2和SiC发生氧化的平衡分压logPO2分别为-15.01Pa和-17.04Pa.结果表明,氧气分压会对ZrB2、SiC和ZrB2-SiC的氧化行为产生重要影响.随着氧分压升高,ZrB2主要气相氧化产物的分压增加,SiC主要气相氧化产物的分压先增加后减小.对ZrB2-SiC而言,随着氧分压的增大,在1227℃时体系中的主要气相产物转变序列为SiO(g)→B2 O3 (g)→BO2 (g).

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来源
《化工新型材料》 |2017年第9期|178-180|共3页
作者
李辉; 刘哲; 罗至利; 孙国栋; 俞鹏飞;
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作者单位

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

西北工业大学超高温结构复合材料重点实验室,西安710072;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

长安大学材料科学与工程学院,西安710064;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
ZrB2-SiC; 超高温陶瓷; 挥发相图; 氧化; 热力学;

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