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BESⅢ飞行时间电子学电荷测量电路的温度补偿

         

摘要

介绍了一种利用补偿二极管实现的,针对非门控积分电路的温度补偿方法,它已成功地应用于BESⅢ飞行时间电子学的电荷测量电路中.经测试,采用该补偿方案后,对于30℃-50℃范围内的温度变化,和200mV到5000mV的输入信号动态范围,电荷测量电路的温度系数约0.6mV/℃,远好于补偿前的性能,且满足BESⅢ工程设计指标.

著录项

  • 来源
    《核电子学与探测技术》 |2009年第5期|1088-1092|共5页
  • 作者单位

    中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;

    中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;

    中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;

    中国科学技术大学近代物理系,中国科学院核探测技术与核电子学重点实验室,合肥,230026;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 时间测量技术和仪器仪表;
  • 关键词

    BESⅢ TOF; 电荷测量; 温度补偿;

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