在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法

宋张勇; 杨治虎; 阮芳芳; 张宏强; 邵健雄; 崔莹; 谢江山; 高志民; 邵曹杰; 卢荣春; 蔡晓红

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在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象.猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析.由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2007年第5期|1000-1004|共5页
作者
宋张勇; 杨治虎; 阮芳芳; 张宏强; 邵健雄; 崔莹; 谢江山; 高志民; 邵曹杰; 卢荣春; 蔡晓红;
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作者单位

中国科学院近代物理所,兰州730000;

兰州大学现代物理系,兰州730000;

中国科学院研究生院,北京100039;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体探测器（晶体探测器）;
关键词
Si(Au)面垒半导体探测器; 入射窗; 峰道址.;

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