VLSI老化模型参数热阻的研究

焦慧芳; 温平平; 贾新章; 王群勇; 罗雯; 魏建中

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VLSI老化模型参数热阻的研究

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从老化筛选模型入手,阐述了老化模型参数热阻的重要性.基于热阻测量原理,给出了常见的热阻测量方法,同时分析了各测量方法的优缺点.在此基础上提出了一种新颖的封装热阻估计实验方法,虽然不能精确地测量出国产VLSI的热阻值,但给出了一种国产VLSI封装热阻数据的获取方法.实验证明其具有较强的实用性,不失为一种国产VLSI热阻参数快速确定的工程技术.

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来源
《核电子学与探测技术》 |2005年第6期|694-697|共4页
作者
焦慧芳; 温平平; 贾新章; 王群勇; 罗雯; 魏建中;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

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正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
热阻; VLSI; 老化模型;

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