FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究

著录项

• 来源
  《核电子学与探测技术》 |2000年第2期|115-119153|共6页
• 作者

  贺朝会; 陈晓华; 李国政; 刘恩科; 王燕萍; 姬林; 耿斌; 杨海亮;

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• 作者单位

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西安交通大学微电子工程系,西安,710049;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西安交通大学微电子工程系,西安,710049;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

  西北核技术研究所,西安69信箱,西安,710024;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 原子能技术的应用;大规模集成电路、超大规模集成电路;
• 关键词

  FLASH ROM; 14 MeV中子; 单粒子效应; 总剂量效应;