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频率对GM型半导体探测器CV特性的影响

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摘要

在反向偏压下,测试时所用的高频小信号频率超过一定值后,GM型探测器结电容测试值将下降。本文讨论了频率对CV特性影响的实验结果,并分析了其原因。指出最高可用的阈值频率fth取决于半导体耗尽区中的场强E。文中给出fth与E以及与电阻率和电压间的实验关系式,室温下fth可达1—4MHz。

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来源
《核电子学与探测技术》 |1985年第3期|158-161|共4页
作者
宿昌厚;
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作者单位

北京核仪器厂;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
CV特性; 阈值频率; 面垒探测器;

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