HL—1M装置内壁锂涂覆实验

王明旭; 张年满; 等

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Li是原子序数最小的金属元素，具有非常活泼的化学活性，是最有希望的第一壁材料。TFTR装置经过锂化后提高了等离子体存储能量、中心离子温度和密度的峰化以及聚变反应速率，表明了原位锂化的巨大优越性。原位硅化已成为HL－1M装置常规壁处理手段，与此同时，HL－1M装置也正在探索先进的锂化工艺技术。本文介绍了HL－1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。

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来源
《核工业西南物理研究院年报》 |1999年第1期|41-42|共2页
作者
王明旭; 张年满; 等;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TL631.24;
关键词
锂涂覆技术; 第一壁; 壁状态; HL－1M托卡马克装置; 内壁处理;

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