SiC MOSFET单粒子效应研究现状

刘翠翠; 郭刚; 李治明; 张付强; 陈启明; 韩金华; 杨新宇

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SiC MOSFET单粒子效应研究现状

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伴随核能与空间技术的快速发展,SiC MOSFET等高压大功率器件的应用不断增加,其因环境中的高能粒子辐射所引起的单粒子效应问题(如单粒子烧毁、单粒子栅击穿等)也逐渐凸显。为全面深入认识该问题,首先,论证了SiC MOSFET的优势特性,及其在辐射应用中面临的关键问题。然后,整理了目前国内外关于SiC MOSFET单粒子效应的模拟计算、辐照实验及相应研究成果,总结了在SiC MOSFET单粒子效应研究中的主要关注点,并分析了SiC MOSFET单粒子效应敏感性较高的原因。最后,基于目前SiC MOSFET单粒子效应研究中仍存在的问题,展望了未来可重点关注的研究方向。通过系统总结国内外SiC MOSFET单粒子效应研究进展,希望能为研究SiC MOSFET单粒子效应物理机制以及改进其抗单粒子效应加固技术提供有价值的参考。

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来源
《核技术》 |2022年第1期|1-14|共14页
作者
刘翠翠; 郭刚; 李治明; 张付强; 陈启明; 韩金华; 杨新宇;
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作者单位

中国原子能科学研究院;

北京102413;

国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

北京102413;

兰州大学;

兰州730000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类原子能技术的应用;
关键词
SiC MOSFET; 单粒子效应; 抗辐照加固; 性能评估;

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