• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《核技术》 >基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤

基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

本文在600℃对6H-SiC进行了He+辐照实验,离子辐照能量为100 keV,剂量为5×1015 ions.cm-2、1×1016 ions·cm-2、3×1016 ions.cm-2和8×1016 ions.cm-2.本文采用多模式扫描探针显微镜技术,包括轻敲模式原子力显微镜、纳米压痕/划痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析.结果表明,随辐照剂量的增加,样品表面粗糙度逐渐增加,表面硬度逐渐下降.导电模式原子力显微镜能清晰地观测到样品表面氦泡分布形态,进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氦泡产生的.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号