分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响

著录项

• 来源
  《核技术》 |2011年第1期|51-55|共5页
• 作者

  赵成利; 孙伟中; 吕晓丹; 陈峰; 贺平逆; 刘华敏; 张俊源; 苟富均;

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• 作者单位

  贵州大学PSI研究所,MEMS课题组,贵阳,550025;

  贵州大学理学院,贵阳,550025;

  四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;

  贵州大学PSI研究所,MEMS课题组,贵阳,550025;

  贵州大学PSI研究所,MEMS课题组,贵阳,550025;

  贵州大学PSI研究所,MEMS课题组,贵阳,550025;

  四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都,610064;

  荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰,2300;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 真空技术;真空电子技术;
• 关键词

  分子动力学; 入射角度; 刻蚀; Si-C-F反应层;