中频磁控溅射制备GaN薄膜

丁咚; 阴明利; 邹长伟; 郭立平; 付德君

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中频磁控溅射制备GaN薄膜

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采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响.发现沉积气压为0.4～1.0 Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0 Pa和小于0.4 Pa时,用X射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰.X射线能谱分析表明在最佳实验条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga∶N为1∶1.

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来源
《核技术》 |2008年第7期|515-518|共4页
作者
丁咚; 阴明利; 邹长伟; 郭立平; 付德君;
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作者单位

武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;

武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;

武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;

武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;

武汉大学物理学院加速器实验室,武汉,430072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;半导体物理学;
关键词
中频磁控溅射; GaN; X射线衍射; 沉积速率;

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