一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性

牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘刚; 高嵩; 肖志斌

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一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性

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对一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律.实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015 cm-2时,最大输出功率为辐照前的80.4%.辐照后GaInP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GaInP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GaInP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因.

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来源
《核技术》 |2007年第1期|37-39|共3页
作者
牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘刚; 高嵩; 肖志斌;
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作者单位

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;

中国科学院研究生院,北京,100049;

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;

中国科学院研究生院,北京,100049;

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;

中国科学院研究生院,北京,100049;

天津电源研究所,天津,300381;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
多结太阳电池; GaInP/GaAs/Ge; 电子辐照; 辐照效应; 光谱响应;

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