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北京慢正电子强束流性能研究

         

摘要

采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究.实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5 mm.在目前加速器短脉冲的运行模式下,脉冲慢正电子束流的强度达到了105/s以上,IP成像板束流沉积形貌直径小于15 mm,脉冲慢正电子束流微分能谱半高宽(FWHM)约为10 eV;在高于3×10-7Pa的超高真空中,慢正电子在直流化管道内存贮40 ms后,束流强度减弱到原来的50%.系统各项性能运行参数达到了设计要求.

著录项

  • 来源
    《核技术》 |2004年第6期|435-439|共5页
  • 作者单位

    兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州,730000;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

    兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州,730000;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

    兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州,730000;

    中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京,100039;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 粒子物理学;磁约束;热电子发射、热阴极;
  • 关键词

    慢正电子; 束流强度; 传输效率; 存贮效率;

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