3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性

唐玉华; 朱智勇; 孙友梅; 李长林; 金运范

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3MeV硅离子辐照聚苯乙烯引起的化学改性

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在室温下用3MeV硅离子对聚苯乙烯薄膜进行了辐照注入,并对辐照后的样品进行了傅立叶转换红外反射光谱和紫外/可见透射光谱的测量.测量结果显示,材料经3×1013ions/cm2以上剂量辐照后(即吸收剂量在约45MGy以上时)迅速降解,包括苯环在内的大部分特征官能团遭到破坏;与此同时,材料的光能隙随着剂量的增大逐渐减小,在辐照剂量达到1×1014ions/cm2和3×1014ions/cm2时,材料的光能隙分别由原来的2.7eV减小到1.85eV和1.2eV.

著录项

来源
《核技术》 |2002年第1期|15-19|共5页
作者
唐玉华; 朱智勇; 孙友梅; 李长林; 金运范;
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作者单位

中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;

中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;

中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;

中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;

中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;

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正文语种 chi
中图分类芳基乙烯聚合物;固体缺陷;红外光谱分析法;可见和紫外分光光度法;
关键词
聚苯乙烯; 硅离子辐照; 光吸收; 化学改性;

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