IBAD MoS2-Ta膜的电子显微与能谱分析

著录项

• 来源
  《核技术》 |1999年第3期|143-148|共6页
• 作者

  王培录; 刘仲阳; 廖小东; 孙官清; 郑思孝;

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• 作者单位

  四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室,成都,610064;

  四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室,成都,610064;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 原子核物理学、高能物理学;
• 关键词

  离子束辅助沉积; MoS2-Ta膜; MoS2膜; 浸泡; 氧化;