6—30keVB＋,C＋,N＋,O＋与H2碰撞单电子剥离的实验研究

施伟; 吴松茂

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用增长率方法首次测量６－３０ｋｅＶＢ＾＋、Ｃ＾＋、Ｎ＾＋、Ｏ＾＋与Ｈ２碰撞的单了截面，给出的Ｂ＾＋和Ｃ＾＋和６－３０ｋｅＶ能区截面随离子能量的趋势与已有的１００－２５００ｋｅＶ能区截面的变化趋势衔接很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化，对碰撞机理作了分析，Ｂ＾＋、Ｎ＾＋、Ｏ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子剥离截面的变化规律由分子轨道模型得到很好的解释。

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来源
《核技术》 |1998年第6期|321-324|共4页
作者
施伟; 吴松茂;
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作者单位

复旦大学现代物理研究所;

复旦大学现代物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类碰撞与散射;
关键词
电子剥离截面; 低能; 增长率; 氢分子; 等离子体;

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