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4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流

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摘要

研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特性及其与加固水平的关系，探讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法。

著录项

来源
《核技术》 |1997年第1期|24-28|共5页
作者
余学锋; 任迪远;
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作者单位

中国科学院新疆物理研究所;

中国科学院新疆物理研究所;

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正文语种 CHI
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
CMOS器件; 电离辐射; 漏电流; 半导体集成电路;

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