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GaAs粒子探测器的抗辐照特性研究

         

摘要

报道了一种面积为9mm^2的GaAs肖特基势垒粒子探测器,其反向耐压高于400V,反向漏电流低于125nR(VR〈-150V)。器件经受能量为3MeV,剂量为500kGy的电子辐照后,反向漏电流为270nA(VR=-150V)。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。

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