CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

著录项

• 来源
  《核技术》 |2020年第1期|48-56|共9页
• 作者

  蔡毓龙; 李豫东; 文林; 郭旗;

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• 作者单位

  中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  中国科学院大学 北京100049;

  中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

  新疆电子信息材料与器件重点实验室 乌鲁木齐830011;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 场效应器件;
• 关键词

  CMOS图像传感器; 单粒子效应; 抗辐射加固技术; 空间辐射;