GaAs单晶生长工艺的发展状况

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• 来源
  《光机电信息》 |2003年第7期|11-17|共7页
• 作者

  蒋荣华; 肖顺珍;

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• 作者单位

  峨眉半导体材料研究所,四川,峨眉山,614200;

  峨眉半导体材料研究所,四川,峨眉山,614200;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 晶体学;
• 关键词

  砷化镓; 单晶; 晶体生长; 半导体材料; 液封直拉法; 水平布里支曼法; 蒸气压控制直拉法;